طريقة تحضير الخلية الشمسية السليكونية غير المتبلورة

هناك العديد من الطرق لخلايا السيليكون الشمسية غير المتبلورة، بما في ذلك ترسيب البخار الكيميائي المعزز بالبلازما، والرش التفاعلي، وتفريغ التوهج، وتبخر شعاع الإلكترون، والتحلل الحراري للسيلان.
1. طريقة الرش التفاعلي: أولاً، استخدم ليزر الأشعة تحت الحمراء لكتابة الركيزة الزجاجية الموصلة للتكلفة الإجمالية للملكية بالليزر؛ بعد الكاتب الليزر، إجراء التنظيف بالموجات فوق الصوتية؛ بعد تنظيف الركيزة، ضعها في أداة ترسيب خاصة وادفعها إلى الفرن للتسخين المسبق؛ التسخين المسبق يتم دفع تركيبات ما بعد الترسيب إلى غرفة فراغ ترسيب PECVD، ويتم ترسيب السيليكون غير المتبلور باستخدام عملية ترسيب PECVD؛ ثم يتم استخدام الليزر الأخضر لإجراء كتابة ليزر ثانية على الركيزة السيليكون غير المتبلورة المودعة، ويتم إجراء التنظيف بعد الكتابة؛ ثم يتم طلاء الركيزة المنظفة بطبقة مركبة من القطب الخلفي المعدني باستخدام تقنية PVD، ويتم ترسيب طبقة أكسيد الزنك كأحد الأفلام المركبة من القطب الخلفي المعدني على سطح طبقة السيليكون غير المتبلورة، ويتم ترسيب طبقات القطب الخلفي المعدنية الأخرى على طبقة أكسيد الزنك. ثم استخدم الليزر الأخضر لإجراء الكتابة بالليزر الثالثة على الركيزة باستخدام القطب الخلفي المعدني المودع، وتنظيفه بعد الكتابة. حتى الآن، تم تشكيل هيكل شريحة البطارية؛ بعد ذلك، يتم تصفيح شريحة البطارية وتعبئتها، ويتم تثبيت صندوق التوصيل وأسلاك الرصاص. وأخيرًا، إجراء اختبار الأداء على المكونات، وتعبئة المنتجات المؤهلة في الصناديق. اعتمادًا على حجم ومواصفات الوحدات الكهروضوئية المنتجة، تستغرق دورة الإنتاج عمومًا من ثلاث إلى أربع ساعات.
2. طريقة ترسيب البخار الكيميائي المعزز بالبلازما: يتم استخدام سلسلة من غرف الترسيب لتكوين برنامج مستمر في الإنتاج لتحقيق الإنتاج الضخم. وفي الوقت نفسه، تكون الخلية الشمسية السيليكونية غير المتبلورة رقيقة جدًا ويمكن تحويلها إلى نوع مكدس، أو تصنيعها بطريقة الدائرة المتكاملة. على المستوى، باستخدام عملية قناع مناسبة، يمكن إنشاء خلايا متعددة متسلسلة في وقت واحد للحصول على جهد أعلى.
3. طريقة تفريغ التوهج: يتم إخلاء حاوية كوارتز، ومليئة بالسيلان المخفف بالهيدروجين أو الأرجون، ويتم تسخينها بمصدر طاقة تردد راديوي لتأيين السيلان لتكوين البلازما، ويتم ترسيب فيلم السيليكون غير المتبلور على الركيزة الساخنة العلوية.